综合 CV 性能测试仪
………………器件性能及工艺参数的测试分析！
高校微电子专业
半导体器件物理课程
………………教学实验的最佳辅助仪器 !
电容-电压（C-V）测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和 MOSFET结构。此外，利用C-V测量还 可以对其他类型的半导体器件和工 艺进行特征分析，包括双极结型晶 体管（BJT）、JFET、III-V族化合物 器件、光伏电池、MEMS器件、有机 TFT显示器、光电二极管、碳纳米管 （CNT）和多种其他半导体器件。
仪器简介
JYC 3200型综合 CV 性能测试仪是西安和创电子科技有限公司最新开发而成的一款用于材料器件 CV 表征的综合解决方案。具有测试精度高、测量范围宽、测试应用软件灵活专业，软件还提供多种实用的CF扫频、Ct时间采样和CV特性测试功能，支持您在器件表征时采取直观的操作、分析与探测。测试条件和测量数据可以自动保存到工作区内，使您毫不费力地完成器件表征。
软件简介
手动实验程序-主界面
参数设置
实时测试
分析计算
绘制曲线
保存数据
保存曲线
自动测试程序-主界面
参数设置
实时曲线
实时数据
分析计算
生成图像文件
生成CSV数据文件
测量人员： |
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样品名称：器件 |
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样品组号：1 |
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样品编号：1 |
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直流偏置电压 V | 电容 C | 电容 1/C^2 | 电导 G | 频率 Hz |
-5.00E+00 | 4.66E-11 | 4.61E+20 | -4.68E-08 | 1.00E+05 |
-4.90E+00 | 4.66E-11 | 4.61E+20 | -4.51E-08 | 1.00E+05 |
-4.80E+00 | 4.66E-11 | 4.61E+20 | -4.26E-08 | 1.00E+05 |
-4.70E+00 | 4.66E-11 | 4.61E+20 | -3.98E-08 | 1.00E+05 |
-4.60E+00 | 4.66E-11 | 4.61E+20 | -3.77E-08 | 1.00E+05 |
-4.50E+00 | 4.66E-11 | 4.61E+20 | -3.61E-08 | 1.00E+05 |
-4.40E+00 | 4.65E-11 | 4.62E+20 | -3.48E-08 | 1.00E+05 |
-4.30E+00 | 4.65E-11 | 4.62E+20 | -3.37E-08 | 1.00E+05 |
-4.20E+00 | 4.65E-11 | 4.62E+20 | -3.29E-08 | 1.00E+05 |
-4.10E+00 | 4.65E-11 | 4.62E+20 | -3.26E-08 | 1.00E+05 |
-4.00E+00 | 4.65E-11 | 4.62E+20 | -3.20E-08 | 1.00E+05 |
-3.90E+00 | 4.65E-11 | 4.63E+20 | -3.14E-08 | 1.00E+05 |
-3.80E+00 | 4.65E-11 | 4.63E+20 | -3.14E-08 | 1.00E+05 |
-3.70E+00 | 4.65E-11 | 4.63E+20 | -3.14E-08 | 1.00E+05 |
-3.60E+00 | 4.65E-11 | 4.63E+20 | -3.12E-08 | 1.00E+05 |
-3.50E+00 | 4.64E-11 | 4.64E+20 | -3.14E-08 | 1.00E+05 |
-3.40E+00 | 4.64E-11 | 4.64E+20 | -3.14E-08 | 1.00E+05 |
-3.30E+00 | 4.64E-11 | 4.64E+20 | -3.12E-08 | 1.00E+05 |
-3.20E+00 | 4.64E-11 | 4.65E+20 | -3.08E-08 | 1.00E+05 |
综合CV性能测试仪技术指标：
1. 测试信号频率：50Hz - 100kHz
2. AC测试信号电平：电压：10mV - 2Vrms，最小分辨率：10mV
3. DC偏置电压源：± 40V
4. 基本准确度：0.05％
5. 测试参数：Cp-G，Cp-D
